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劉忠範/張豔鋒課題組石墨烯控制生長研究工作取得重要進展
Jingyu Sun,† Teng Gao,† Xiuju Song,† Yanfei Zhao,§ Yuanwei Lin,† Huichao Wang,§ Donglin Ma,†Yubin Chen,† Wenfeng Xiang,∥ Jian Wang,§ Yanfeng Zhang,*,†,‡ and Zhongfan Liu*,† Direct Growth of High-Quality Graphene on High‑κ Dielectric SrTiO3 Substrates，J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 6574−6577
1.通過常規化學氣相沉積法，成功地在高介電常數絕緣基底钛酸锶上直接制備了均勻且高結晶質量的單層石墨烯薄膜。通過控制各種反應條件，可以調控石墨烯薄膜的厚度。
2.在钛酸锶基底上直接生長的高質量石墨烯薄膜的可控制備對于其應用于石墨烯基高效節能晶體管，提高器件性能具有重要的意義。
3.直接生長的高質量單層石墨烯薄膜與钛酸锶基底有着獨特的界面，值得進一步探索。
