儀器設備
- 設備用途：
用于納米器件的微納加工，滿足納米材料（器件）的精細加工，便于研究納米材料的特殊物性。
掃描電鏡主要用于樣品的表面形貌的成像。通過電子槍發射的電子束在樣品上掃描，入射電子與樣品之間相互作用，從樣品中激發出二次電子，二次電子探測器收集二次電子信号，顯示出樣品表面的形貌信息。圖型發生器ELPHY Plus作為掃描電鏡的附件，通過掃描電鏡預留的專用外部接口連接在掃描電鏡中，獲取電鏡的信号，控制掃描電鏡中電子束的掃描軌道、掃描方式、停留時間、電子束通斷、工作台運動軌迹等，以實現借用電鏡的電子束來進行曝光的目的，擴展了電鏡的功能，即在樣品表面曝光出納米機構，用于微納米器件的研究。
型号： Quanta 250FEG
- 性能參數：
- 二次電子 (SE) 成像分辨率：
- 高真空模式：30kV 時 1.0 nm；1kV 時 3.0 nm
- 低真空模式：30kV 時 1.4 nm；3kV 時 3.0 nm
- 環境真空模式 (ESEM)：30kV 時 1.4nm
- 背散射電子 (BSE) 成像
- 高真空模式：30kV 時 2.5 nm
- 放大倍數
- 高真空模式下：6x – 1,000,000x
- 放大倍數誤差：≤ 3%
- 加速電壓: 200 V - 30 kV
- 電子槍: Schottky 肖特基場發射電子槍
- 最大束流: 200 nA
- 工作台：4軸馬達台，全對中樣品台，保留5軸手動樣品控制，可進行手動調節
- 工作台運動行程：X=50 mm, Y = 50 mm, Z = 50 mm
- 工作台傾斜：–15° to +75°，并且可實現連續旋轉 360°
- 工作台重複精度：2 µm (X/Y方向)
- 圖形發生器直寫速度為12MHz，最小停留時間為84ns，最小停留時間增量為1ns
- 電子束曝光時，寫場可在 0.5um x 0.5um ~ 2mm x 2mm 之間任意設定
