矽和氧是地球表面含量最高的兩種元素。半導體矽的性質非常優異且均衡，一直是半導體和集成電路産業界的絕對主流材料，其中一個關鍵原因是矽的自身氧化物二氧化矽同時兼具高度緻密、均勻、絕緣的特性，且二者界面質量高。熱氧化産生的二氧化矽層可用作器件的栅介質、晶圓表面鈍化層、擴散摻雜阻擋層等等，作為矽的完美伴侶在各種電子器件和數字集成電路的加工和應用中發揮了極其重要的作用。除矽之外的其它半導體材料（鍺、矽鍺、砷化镓、磷化铟、一維碳納米管、二維硫化钼、黑磷、等等）都不具備可比肩二氧化矽的高質量自身氧化物。然而，二氧化矽過低的介電常數（ε = 3.9）限制了其在先進制程工藝的應用，随着主流制程節點向7納米甚至5納米以下邁進，矽/二氧化矽這一半導體/氧化物體系已經接近物理極限。為進一步延續摩爾定律，開發高遷移率新型超薄半導體溝道材料和高介電常數(ε > 10)超薄高質量氧化物介電層，成為科學界和産業界的近20年來主流研究方向之一。

圖1. 高遷移率二維半導體/高κ自然氧化物栅介質(Bi2O2Se/Bi2SeO5)異質結構築與邏輯器件原理圖

近期，beat365彭海琳教授課題組首次發現，空氣穩定的高遷移率二維半導體硒氧化铋（Bi2O2Se）經熱氧化表面形成自然氧化物亞硒酸氧铋(Bi2SeO5)，具備高介電常數（κ = 21）和良好的絕緣性能，Bi2O2Se/Bi2SeO5二者構築的異質結能帶匹配、缺陷濃度低且界面質量高，在場效應器件和邏輯門電路中表現出優異的性能（如圖1）。彭海琳課題組基于對前期自主研發的高遷移率二維Bi2O2Se材料物理化學性質的系統研究，并結合相圖分析，預測在Bi2O2Se晶體結構中插入更多氧原子後能轉化為一種優良的寬禁帶材料Bi2SeO5。第一性理論計算表明，該氧化物不僅帶隙大大增加（從0.8 eV增加到3.9 eV），且與Bi2O2Se形成典型的第一類異質結，兩者導帶和價帶能量差均大于1 eV，非常适合于場效應器件應用。目前已發展出二維Bi2O2Se的可控熱氧化、選擇性刻蝕和器件加工全套工藝。氧化的精度可以達到單個晶胞級别，且所得的半導體/氧化物界面為原子級平整。電容-電壓測量結合獨特的掃描探針微波成像技術表征表明，該氧化物的介電常數κ高達21，優于商用的高κ介質二氧化铪。結合氫氟酸選擇性刻蝕技術與微納加工技術，制備了高性能場效應晶體管，其遷移率超過300 cm2V-1s-1, 開關比接近106，轉移曲線回滞顯著小于類似結構的二氧化铪頂栅晶體管，具有理想的亞阈值擺幅(SS < 75 mV/dec)。器件使用的最小等效氧化層厚度（EOT）可達0.9 nm，且栅漏電流遠低于同等效厚度的二氧化矽材料。進一步在此基礎上搭建的反相器(非門)CMOS邏輯電路，最大電壓增益超過了150，遠高于已報道的其他二維材料電子器件(如圖2)。二維Bi2O2Se/ Bi2SeO5是首例報道的半導體/自然氧化物高κ栅介質體系，結合高遷移率二維半導體材料的超薄平面結構可抑制短溝道效應，有望解決摩爾定律進一步向前發展的瓶頸問題，給微納電子器件帶來新的技術變革，具有重要的基礎科學意義和應用價值。

圖2. 高遷移率二維半導體/高κ自然氧化物栅介質(Bi2O2Se/ Bi2SeO5)異質結制備及器件性能測試

該研究成果以“A native oxide high-κ gate dielectric for two-dimensional electronics”（高κ自然氧化物栅介質的二維電子學）為題，于2020年7月27日在Nature Electronics（自然電子學）在線發表。文章鍊接：https://www.nature.com/articles/s41928-020-0444-6。beat365彭海琳教授是該工作的通訊作者，beat365beat365博士研究生李天然、塗騰是該工作的第一作者，該工作的主要合作者還包括beat365物理學院的高鵬研究員、beat365信息科學技術學院的黃如教授和黎明研究員、以色列魏茨曼科學研究院的顔丙海教授及美國德州大學奧斯汀分校的賴柯吉教授。

該研究工作是關于高遷移率二維半導體表面氧化成高κ栅介質并應用于高性能場效應晶體管器件的首次公開報道，該工作突破了二維高遷移率半導體器件與超薄介電層集成這一瓶頸，有望推動二維集成電路的發展。該工作得到了來自國家自然科學基金、國家重點研發計劃、北京分子科學國家研究中心等項目的資助。