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郭雪峰課題組:CMOS兼容的單分子場效應晶體管研究獲得重要進展



縱觀過去的半個世紀信息工業的快速發展依賴于矽基電子器件不斷微型集成7nm5nm節點的芯片已經商用,3nm甚至1nm制程已經接近極限的情況下,摩爾定律似乎已經開始走向終點因此發展機制新材料和新器件已經成為半導體行業的下一個轉折點。其中,利用單個分子構建電子電路元器件得到了廣泛的關注,是電子器件發展的終極目标首先,分子器件可以使得器件的導電溝道真正達到1nm左右水平,有望實現器件集成度的最大化。其次,引入功能性單分子去構建功能的單分子器件也是未來半導體行業的重要發展趨勢之一在單分子器件的平台上引入栅極實現單分子場效應晶體管,關鍵的巨大挑戰是如何克服長期存在的短溝道效應,如何在單分子水平上實現栅極對分子軌道能級的有效調控,從而實現高的開關比近日,beat365官方网站雪峰課題組聯合中國科學院物理研究所孟勝課題組加拿大麥吉爾大學郭鴻課題組和法國雷恩大學Stéphane Rigaut課題組,首次在石墨烯基單分子器件的基礎上構建超薄k電層實現了栅壓對單分子器件電導的調控成功研制了CMOS兼容的高性能單分子場效應晶體管(圖1

1. 單分子場效應晶體管的結構示意圖

在前期工作中,雪峰課題組已經在單分子器件平台的基礎上引入新型離子液體栅,研究了單分子對栅壓的應規律,構建了具有多種功能的單分子器件Angew. Chem. Int. Ed. 2018, 57, 14026; J. Am. Chem. Soc. 2021, 143, 20811; Sci. Adv. 2022, in press)。此次他們開發了新的技術平台,在石墨烯基單分子器件的基礎上首次引入了CMOS兼容的固态栅,結構上更接近傳統的場效應晶體管。如圖1所示,他們先沉積金屬鋁作為固态栅的栅極材料金屬鋁表面自然氧化的氧化鋁以及用溶膠凝膠法制備的氧化铪共同組成了超薄的電層,總厚度約為10nm,一定程度上克服了溝道效應同時,氧化鋁與氧化铪的組成避免了後續的工藝對介電層的破壞,抑制了栅極的漏電現象在單分子水平上提高了場效應晶體管的性能。

6年前他們利用二芳烯分子實現了在單分子器件平台上監測光緻異構引起開關效應Science 2016, 352, 1443在持續的可見光和紫外光的交替照射下,分子呈現了高低電導的交替變換。電導的變化反映出分子在不同波長的光照條件下發生了結構的變化。在此次研究中,他們與合作者設計合成了具備二芳烯緻異構官能團的钌配位化合物(Ru-DAE,其中二芳烯單元不同波長的光照條件下可以實現開環與關的轉換。他們将此分子引入固态栅單分子器件,不僅重現可逆的開關環反應,驗證了單分子開關效應的可靠性,同時還發現二芳烯開關環的兩種狀态在栅極電壓下的電學性質存在明顯差異因此,引入二芳烯能團,可以揭示栅壓對同一分子的不同結構導電性的調控能力和機制同時在同一器件上實現了光調控與栅調控兩手段

如圖2所示,二芳烯在開環狀态下Ru-oDAE,分子處于弱共轭狀态。栅壓下,導電性能差實現了關态電流的有效控制由于HOMO的位置靠近石墨費米能級在小的栅壓下,分子的HOMO軌道進入導電窗口,分子的電導迅速增加。與栅壓時的電導相比,開關比高達104 而在關環狀态下,分子處于共轭狀态栅壓時分子的電導就已經比較高,所以栅壓下分子電導的變化與開環狀态相比偏小導緻開關比下降該工作首次在石墨烯基單分子平台引入了超薄k固态栅,并且通過具有光響應的二芳烯官能團,研究了在同一器件上栅壓對不同分子結構的調控能力,為一步設計功能化的分子器件提供了嶄新思路理論指導

2. a.二芳烯分子開環(RU-oDAE)與關環(RU-cDAE)狀态下的透射譜; b. 不同栅壓下開環分子的ID-VD 特性曲線; c. 栅壓下分子軌道能級的變化。

該研究成果以Dual-Gated Single-Molecule Field-Effect Transistors beyond Moore’s Law為題317發表在Nature Communications上。beat365beat365雪峰教授、中國科學院物理研究所的孟勝研究員加拿大麥吉爾大學郭鴻教授雷恩大學Stéphane Rigaut教授為該工作的共同通訊作者,文章的共同第一作者分别是在beat365官方网站合作培養的中科院物理所博士生孟利楠、雪峰課題組博士生辛娜beat365beat365合作培養的南開大學博士生張苗郭鴻課題組博士生胡晨Stéphane Rigaut課題組博士生Hassan Al Sabea。該工作得到了來自科技部、國家自然科學基金委、北京市科委和beat365等基金的支持。

 

原文鍊接:https://www.nature.com/articles/s41467-022-28999-x

 

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