石墨烯是零帶隙半導體材料（又稱半金屬），它的一個突出優點是具有非常高的載流子遷移率。為了将石墨烯應用于新一代電子學，通常需要在石墨烯材料中将帶隙打開。但是，帶隙的打開往往會導緻遷移率的下降。因此，如何兼顧帶隙與遷移率，就成為石墨烯研究的一個重要問題。最近，我們對石墨烯納米帶的遷移率性質進行研究，導出本征遷移率的一個解析公式，不但很好地說明了第一性原理計算的結果，并且預言了應變導緻的輸運極性的翻轉。

    該研究成果以封面文章的形式發表在Journal of Chemical Physics上：Jinying Wang, Ruiqi Zhao, Mingmei Yang, Zhongfan Liu*, and Zhirong Liu (2013) Inverse relationship between carrier mobility and band gap in graphene. J. Chem. Phys. 138, 084701/1-5. 論文第一作者為化學學院直博生王進瑩（2014屆畢業生，導師劉志榮）。

文章鍊接：Jinying Wang, Ruiqi Zhao, Mingmei Yang, Zhongfan Liu*, and Zhirong Liu*. Inverse relationship between carrier mobility and band gap in graphene. J. Chem. Phys. 138, 084701 (2013). （封面文章）