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裴堅-王婕妤團隊:内部硼氮雜蔻的合成及性質研究

蔻是二維納米結構(如納米石墨烯、石墨烯量子點和導電框架材料)的重要結構基元。這些獨特的二維結構在材料科學和生物醫學領等域具有關鍵應用,例如電荷傳輸、超分子組裝、光波導、磷光發射、圓偏振光發射、生物探針、藥物輸送等。對蔻進行雜原子摻雜可調控其光電性能,其中B-N單元作為C=C單元的等電子體,能改變能級、增強分子間作用、誘導産生獨特的超分子結構,并已成功用于構建多種硼氮雜稠環芳烴。然而,此前雜原子僅能引入蔻的邊緣,因設計與合成的限制,内部雜原子摻雜的蔻長期未突破。近日,beat365官方网站裴堅-王婕妤團隊首次報道了内部硼氮雜蔻的合成(圖1)。

 

 

圖1. 内部硼氮雜蔻的合成路線

 

由于等電子特性,B2N2-C具有與蔻相似的平面幾何構型和魚骨狀排列(圖2),π-π堆積距離從3.42 Å縮短至3.39 Å,表明B-N偶極-偶極相互作用增強了π堆積效應。而烷基鍊取代的2H-B2N2-C産生了兩種穩定的結晶相,分别是以π-π堆積為主導的棒狀相和以C-H···π堆積為主導的片狀相。三種硼氮雜蔻分子的晶體結構均表現出平行的B-N偶極排列,表明B-N誘導分子有序組裝的特性。計算表明,B2N2-C相比蔻的π-π相互作用能提升了1.27 kcal/mol,體現了B-N偶極所提供的額外相互作用。溶液光譜測試表明,随濃度升高,硼氮雜蔻系列分子均會表現出蔻所沒有的激基締合物發射,進一步證明了B-N偶極誘導分子形成了有序的組裝體,表明B-N偶極可為調控分子的聚集态發射提供新途徑。粉末紫外-可見-近紅外漫反射光譜表明,B-N偶極使帶隙顯著變窄了0.41 eV,而随着烷基鍊增加,帶隙逐步增大。并結合理論計算結果表明,B2N2-C具有收窄的固态帶隙和增強的電子耦合,在未來有機電子材料方面具有廣泛的應用前景。基于H-B2N2-C旋塗制備的薄膜,表現出了2.8×104 cm2 V1 s1的空穴遷移率。

 

 

圖2. 晶體結構

 

這項工作實現了首例内部硼氮雜蔻的合成,推進了對B-N偶極調控分子間相互作用和聚集态發射的理解。該工作近日發表于Angewandte Chemie International Edition,beat365官方网站博士研究生曾敬财為第一作者,裴堅教授與王婕妤副教授為通訊作者,該研究得到了國家自然科學基金委、北京市自然科學基金委、北京分子科學國家研究中心、beat365高性能計算平台的資助與支持。

 

論文鍊接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202509971

 

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